关于我们联系我们 网站地图 您好!欢迎访问深圳市太航半导体有限公司
快速报价当 天 发 货
全国咨询热线:400-900-8098
您的位置: 主页 > 新闻中心 > 公司新闻

咨询热线

400-900-8098

ADG1219BRJZ-REEL7包含SPDT开关的单片iCMOS®器件-型号参数

作者:小编时间:2023-08-08 10:21:45 次浏览

信息摘要:

技术参数品牌:ADI型号:ADG1219BRJZ-REEL7封装:SOT23-8批号:21+数量:20000类别:集成电路(IC) 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器制造商:Analog Devices Inc.开关电路:SPDT电路数:1导通电阻(最大值):200 欧姆电压 - 电源,单 (V+):5V ~ 16.5V电压 - 供电,双 (V):5V ~ 16.5V-3db 带宽:520MHz电荷注入:0.1pC串扰:-80dB @ 1MHz工作温度:-40C ~ 125C(TA)安装类型:表面贴装型封装/外壳:SOT-23-8

ADG1219BRJZ-REEL7.png

技术参数

品牌:ADI
型号:ADG1219BRJZ-REEL7
封装:SOT23-8
批号:21+
数量:20000
类别:集成电路(IC) 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器
制造商:Analog Devices Inc.
开关电路:SPDT
电路数:1
导通电阻(最大值):200 欧姆
电压 - 电源,单 (V+):5V ~ 16.5V
电压 - 供电,双 (V±):±5V ~ 16.5V
-3db 带宽:520MHz
电荷注入:0.1pC
串扰:-80dB @ 1MHz
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-8
ADG1219是一款包含SPDT开关的单片iCMOS®器件。EN输入用于启用或禁用设备。禁用时,所有通道都将关闭。打开时,每个通道在两个方向上都能同样良好地传导,并且具有扩展到电源的输入信号范围。每个开关都表现出先断后合的开关动作。iCMOS(工业CMOS)模块化制造工艺结合了高压互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极技术。它能够开发出一系列高性能模拟IC,能够在33 V的占地面积内运行,这是其他一代高压部件所无法实现的。与使用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS组件可以承受高电源电压,同时提供更高的性能、显著更低的功耗和更小的封装尺寸。这些多路复用器的超低电容和异常低的电荷注入使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案,在这些应用中需要低毛刺和快速稳定。图2显示了在器件的整个信号范围内存在最小的电荷注入。iCMOS结构还确保了超低功耗,使这些部件非常适合便携式和电池供电的仪器。


【相关推荐】

返回列表 本文标签:
24小时在线客服
24小时热线电话

添加微信咨询

添加微信咨询

添加微信咨询